1月14日，A股存儲模組龍頭佰維存儲發(fā)布業(yè)績預告，盈利實現(xiàn)大幅增長。公司預計2025年度實現(xiàn)營業(yè)收入100億元至120億元，同比增長49.36%至79.23%；預計實現(xiàn)歸母凈利潤8.5億元至10億元，同比大幅增長427.19%至520.22%。

　　公司表示，從2025年第二季度開始，隨著存儲價格企穩(wěn)回升，重點項目逐步交付，公司銷售收入和毛利率逐步回升，經(jīng)營業(yè)績逐步改善。

　　價格持續(xù)上行

　　2025年以來，全球存儲市場步入一輪強勁的漲價周期。Wind數(shù)據(jù)顯示，DRAM（動態(tài)隨機存取內(nèi)存）方面，DDR5（16Gb）1月14日報價34.08美元，較去年年初的4.68美元上漲627.79%；DDR4（16Gb）報價75美元，較去年年初的3.19美元漲幅更是達到2252.57%。NAND Flash（閃存）方面，64G閃存產(chǎn)品最新報價7.113美元，較2025年年初上漲超60%。

　　隨著AI算力需求爆發(fā)，存儲芯片市場迎來強勁的需求拉動。IDC預測，全球數(shù)據(jù)量將在2025年達到213.6ZB，預計到2029年將增至527.5ZB，年復合增長率高達25.4%。中國的數(shù)據(jù)量預計將從2025年的51.8ZB激增至2029年的136.1ZB，年復合增長率高達27.3%。數(shù)據(jù)爆發(fā)式增長下，存儲器的需求持續(xù)攀升。

　　同時，因產(chǎn)能向高端型號傾斜，一般型DRAM、閃存等價格明顯上漲。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2026年第一季由于DRAM原廠大規(guī)模轉(zhuǎn)移先進制程、新產(chǎn)能至服務器、HBM應用，導致其他市場供給嚴重緊縮，預估整體一般型DRAM合約價將季增55%~60%。NAND Flash則因原廠控管產(chǎn)能和服務器強勁拉貨排擠其他應用，預計各類產(chǎn)品合約價持續(xù)上漲33%~38%。

　　花旗研究團隊在最新報告中明確指出，預計2026年商品存儲器市場將出現(xiàn)“嚴重的供應短缺”。這種短缺并非暫時性的供應鏈擾動，而是由結構性數(shù)據(jù)增長驅(qū)動的。花旗將2026年DRAM的平均售價同比增速預期從之前的增長53%大幅上調(diào)至增長88%。

　　企業(yè)積極擴充產(chǎn)能

　　面對持續(xù)的漲價趨勢，各大存儲廠商紛紛拋出擴產(chǎn)計劃，以把握市場機遇并提升全球市場份額。

　　A股上市公司中，通富微電已發(fā)布定增預案，擬募資不超過44億元，莊閑和其中8億元用于存儲芯片封測產(chǎn)能提升項目，建成后年新增存儲芯片封測產(chǎn)能84.96萬片。通富微電表示，實施本次募集資金投資項目旨在優(yōu)化公司產(chǎn)能水平及結構布局，提升公司持續(xù)創(chuàng)新能力，實現(xiàn)公司業(yè)務升級。

　　上市公司中，天山電子、長電科技也公布擴產(chǎn)計劃。

　　此外，近期多家存儲廠商的IPO進程值得關注。1月13日，兆易創(chuàng)新H股上市，凈募資額約為46.11億港元，其中約35%將用于戰(zhàn)略性行業(yè)相關投資及收購。兆易創(chuàng)新在投資者調(diào)研活動中表示，公司LPDDR4預計在2026年上半年推出產(chǎn)品，并在下半年實現(xiàn)量產(chǎn)，基于新產(chǎn)線的DDR4產(chǎn)品預計在下半年推出樣品。

　　長鑫科技已遞交科創(chuàng)板IPO招股說明書，公司是我國規(guī)模最大、技術最先進、布局最全的DRAM研發(fā)設計制造一體化企業(yè)。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，按出貨量統(tǒng)計，公司已成為中國第一、全球第四的DRAM廠商。根據(jù)招股說明書，公司募資主要用于存儲器晶圓制造量產(chǎn)線技術升級改造項目、DRAM存儲器技術升級項目、動態(tài)隨機存取存儲器前瞻技術研究與開發(fā)項目。

　　存儲公司業(yè)績可期

　　隨著存儲價格自低位快速反彈，A股相關上市公司盈利能力明顯提升。

　　12只存儲器概念股預計2025年度實現(xiàn)凈利潤同比增長或扭虧，其中江波龍、全志科技預測凈利潤增幅超100%，龍頭股兆易創(chuàng)新、瀾起科技預測凈利潤增幅在40%以上。

　　江波龍2025年第三季度業(yè)績已經(jīng)大幅增長，單季度實現(xiàn)歸母凈利潤6.98億元，同比增長近20倍。截至2025年7月底，公司自研主控芯片全系列產(chǎn)品累計出貨超8000萬顆。國信證券表示，公司已點亮SOCAMM產(chǎn)品，作為面向新一代AI數(shù)據(jù)中心設計的低功耗內(nèi)存模塊產(chǎn)品，根據(jù)公司內(nèi)部評估，SOCAMM相同容量下帶寬比傳統(tǒng)RDIMM高2.5倍以上，降低延遲約20%，尺寸更小，性能有明顯優(yōu)勢。

　　瀾起科技在內(nèi)存接口芯片行業(yè)處于領先地位，是全球三大DDR5生產(chǎn)商之一。東吳證券表示，隨著DDR5滲透率持續(xù)提升及AI驅(qū)動下PCIe Retimer、MRCD/MDB、CKD等新品持續(xù)放量，同時公司津逮服務器平臺產(chǎn)品線不斷拓展，公司業(yè)績有望保持強勁增長態(tài)勢。